传统节日网ttl电路分析？
ttl电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写，是数字集成电路的一大门类。
ttl电路采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。
从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。
第一代ttl电路包括SN54/74系列，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。
第二代ttl电路包括肖特基箝位系列和低功耗肖特基系列。
第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL和先进的低功耗STTL。
由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。
延伸阅读
TTL芯片什么意思？
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic)，是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度、低功耗和品种多等特点。
从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。
第一代TTL包括SN54/74系列，(其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃)，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL)。
第三代为采用等平面工艺制造的
先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。
由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。
cmos和ttl电路的输出状态？
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。 功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
TTL在数字信号当中表示的是什么电路？
BJT是双极结型晶体管，说的是PNP、NPN； TTL是晶体管-晶体管逻辑电路，主要是由BJT构造而成，有别于COMS是由FET构造而成； 想了解更详细的，就按此字符串在网上查找即可得
TTL集成电路特点？
ttl集成电路的优点是（与MOS电路比）它的扇出大，也就是驱动能力比较大，再一个优点是抗静电损坏的能力比较强。当然，它的功耗较大，是它的缺点，因而集成度比较低。TTL电路多为中小规模的集成电路。集成门电路的多余输入端，可以悬空，也可以与使用的输入端并联使用。
这两种办法都常常被采用。但是，这两种办法对速度都有一些负面影响。
比较好的办法是把多余的输入端接集成电路电源的正端。
单片机ttl原理？
ttl电路的工作原理
ttl电路的工作原理比较复杂，需要结合工作图加以了解。ttl电路采用反相器，通常和非门组成电路结构：输入级，输出级，中间级。输入级是一个与门电路。而输出级由三极管，二极管，电阻组成，能使输出级有较强的负载能力。中间级由三极管和电阻组成，能够提高电路的速率和性能。ttl电路的工作原理可以通过《数字电子技术基础》第四版高等教育出版社详细了解。
分析TTL门电路。急求。好的追加？
分立元件门电路虽然结构简单，但是存在着体积大、工作可靠性差、工作速度慢等许多缺点。1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上，制成了集成电路。由于集成电路体积小、质量轻、工作可靠，因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路。随着集成电路制作工艺的发展，集成电路的集成度越来越高。
按照集成度的高低，将集成电路分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路。根据制造工艺的不同，集成电路又分为双极型和单极型两大类。TTL门电路是目前双极型数字集成电路中用的最多的一种。
TTL门电路中用的最普遍的是与非门电路，下面以TTL与非门为例，介绍TTL电路的基本结构、工作原理和特性。
（1）TTL与非门的基本结构
图1是TTL与非门的电路结构。可以看出，TTL与非门电路基本结构由3部分构成：输入级、中间级和输出级。因为电路的输入端和输出端都是三极管结构，所以称这种结构的电路为三极管—三极管逻辑电路。
图1 TTL与非门电路的基本结构
输入级：输入级是一个与门电路结构。T1是多发射极晶体管，可以把它的集电结看成一个二极管，把发射结（三个发射结）看成是与前者背靠背的3个二极管，如图2所示。由此看出，输入级就是一个与门电路：Y=A·B·C。
(a)多发射极晶体管 (b)多发射极晶体管的等效二级管电路
图2 多发射极晶体管的等效电路
中间级：由三极管T2和电阻RC1、RE2组成。在电路的开通过程中利用T2的放大作用，为输出管T3提供较大的基极电流，加速了输出管的导通。所以，中间级的作用是提高输出管的开通速度，改善电路的性能。
输出级：由三极管T3、T4、二极管D和电阻RC4组成。如图3所示，图3（a）是前面讲过的三极管非门电路，图3（b）是TTL与非门电路中的输出级。从图中可以看出，输出级由三极管T3实现逻辑非的运算。但在输出级电路中用三极管T4、二极管D和RC4组成的有源负载替代了三极管非门电路中的RC,目的是使输出级具有较强的负载能力。
图3 晶体管非门电路与TTL与非门输出级
（2）工作原理
在下面的分析中假设输入高、低电平分别为3.6V和0.3V，PN结导通压降为0.7V。
①输入全为高电平3.6V（逻辑1）
如果不考虑T2的存在，则应有UB1=UA+0.7=4.3V。显然，在存在T2和T3的情况下，T2和T3的发射结必然同时导通。而一旦T2和T3导通之后，UB1便被钳在了2.1V（UB1=0.7×3=2.1V），所以T1的发射结反偏，而集电结正偏，称为倒置放大工作状态。由于电源通过RB1和T1的集电结向T2提供足够的基极电位，使T2饱和，T2的发射极电流在RE2上产生的压降又为T3提供足够的基极电位，使T3也饱和，所以输出端的电位为UY=UCES=0.3V, UCES为T3饱和压降。
可见实现了与非门的逻辑功能之一：输入全为高电平时，输出为低电平。
②输入低电平0.3V（逻辑0）
当输入端中有一个或几个为低电平0.3V（逻辑0）时，T1的基极与发射级之间处于正向偏置，该发射结导通，T1的基极电位被钳位到UB1=0.3+0.7=1V。T2和T3都截止。由于T2截止，由工作电源VCC流过RC2的电流仅为T4的基极电流，这个电流较小，在RC2上产生的压降也小，可以忽略，所以UB4≈VCC=5v，使T4和D导通，则有：UY=VCC-UBE4-UD=5-0.7-0.7=3.6V。
可见实现了与非门的逻辑功能的另一方面：输入有低电平时，输出为高电平。
综合上述两种情况，该电路满足与非的逻辑功能，是一个与非门。
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集成电路按功能可分为哪两大类？
.按使用功能分类
按使用功能主要分为模拟集成电路和数字集成电路两大类别。
（1）模拟集成电路。
主要有集成稳压器、运算放大器、功率放大器及专用集成电路等。
（2）数字集成电路。
按结构不同可分为单极型和双极型电路，单极型电路有JFET、NM0S、PM0S、CM0S四种，双极型电路有DTL、TTL、ECL、HTL等。
数字集成电路中最常用的主要有TTL和CM0S两大系列。
①TTL集成电路。
双极型三极管—三极管集成电路，简称TTL电路，是一种性能优良的集成门电路，其开关速度快、抗干扰能力强、负载能力强，因此应用也最广泛。
TTL集成电路为正逻辑系统，即高电平（“1”）是大约3.6V的正电压，低电平（“0”）是大约0.2～0.35V。TTL集成电路主要有54系列和74系列两种。其中，54系列为军用产品，74系列为民用产品。在54／74系列后不加字母表示标准TTL电路（如7410），如加有L、H、S或LS等字母，则分别表示低功耗、高速、肖特基和低功耗肖特基TTL电路（如74H00表示高速TTL电路、74LS00表示低功耗肖特基TTL电路）。54／74系列产品，只要尾数相同（如74LS10和7410），则逻辑功能和引脚排列完全相同。
②CM0S集成电路。
CM0S集成电路以单极型晶体管为基本元件制成，是互补金属氧化物半导体集成电路的简称。由于CM0S电路功耗低、电源电压范围宽（3～18V）、抗干扰能力强、输入阻抗高、扇出能力强、温度稳定性好、成本低等，故应用范围极广，尤其是其制造工艺简单，为大量生产提供了方便。CM0S集成电路主要有4000系列、54／74HC×××系列、54／74HCT×××系列和54／74HCU×x×四大类。
