传统节日网国产28nm光刻机问世？
目前，我国的中国电科、上海微电子和长春光机所三个机构接到研发光刻机的任务。
上海微电子也是在今年正式推出了28纳米DUV光刻机，长春国科也正向28纳米节点的光学系统攻光，也是预计在今年将取得新突破。
众多周知，中芯国际目前正在积极的对28纳米芯片进行扩产，然而对于国内而言28纳米也是刚需，并且产能也十分紧缺，但不管怎样，上海微电子28纳米光刻机的落地，将会大大缩短了国产化28纳米的时间。
国产光刻机任重而道远，关键技术长期被国外卡脖子，只有实现自主创新才能真正实现
中国最新进口光刻机是多少纳米的？
14nm。
目前国内光刻机技术水平距离世界先进还有较大差距，特别是跟荷兰的阿斯麦这样顶尖的公司对比。所以先进制程的光刻机只能依靠进口，14nm的光刻机已经是目前可以获得的最先进光刻机。
7nm制程的光刻机，目前因为禁运原因，国内拿不到。14nm也不是想买就能买的。
22nm国产光刻机真的突破了？
没有突破到22纳米。
国产光刻机目前能量产的制程是90nm，这是上海微电子制造的设备，该公司也是全球四家光刻机制造商之一。上海微电子公司去年28nm光刻机已经通过技术检测和验证，预计今年可以提供给采购方。而22nm这种制程的光刻机应该没有被列入该公司计划。
国产7纳米光刻机什么时候出来？
什么时候出来还无法预知。
国产光刻机目前最高级别为28纳米duv光刻机，是上海微电子出产的。而所谓7纳米光刻机实际上是13.5纳米极紫外光光源光刻机，通过技术手段比如多次曝光技术加工制程7纳米及以下制程的芯片，既euv光刻机。两者相差一代，目前我国还无法制造euv光刻机，至于何时出来也无法预知。
国产euv光刻机啥时能有新突破？
暂时没有新突破。
我国目前光刻机最新的是上海微电子去年底通过技术检测和验证的28纳米duv光刻机，预计今年可以量产。对于euv极紫外光光刻机，目前暂时还没有新的突破，像中科院的euv光源、长春国科精密的曝光系统、长春光机所的镜头组目前还无法达到euv等级。
国产光刻机一览？
上海微电子装备有限公司：生产出90纳米的光刻机设备，这也是生产国产光刻机的最高技术水平，比ASML公司差不多有10年的差距。
中科院光电所：中科院光电所研发出365纳米波长，曝光分辨率达到22纳米的光刻机，是近紫外的光线，离极紫外还有一点差距。
合肥芯硕半导体有限公司、无锡影速半导体科技有限公司、先腾光电科技有限公司、中微公司。
我国最先进光刻机？
中国目前最先进的光刻机是上海微电子的SSA600系列。
SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。
国产最新光刻机多少纳米？
国产最新光刻机最先进的工艺是6纳米工艺的虎贲7520芯片。属于第二代5g网络芯片，其理论性能约等于联发科天玑800处理器水平。
缺点是良品率低，尤其对比市场上主流芯片良品率…而框架结构设计上也是欠缺，6纳米工艺制程芯片性能只能对比目前中端处理器，对比旗舰级别处理器差距明显，尤其驾驭硬性性能输出不够，跑分上落后很多。
国内产的芯片主要搭载中低端产品，其配置上更多搭载的是虎贲t310型号，工艺制程是12纳米技术，跑分约3.7万左右！实际操作上只能对比一下高通骁龙4系处理器，或者是联发科p30芯片。
